AO4484场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这是一种通用设备，适用于各种电源转换应用。

    AO4484场效应管规格：

    制造商零件编号：AO4484

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-SOIC

    FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：40V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：10 毫欧 @ 10A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：37nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1950pF @ 20V

    功率 - 值：1.7W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管的特性：

    1）工作条件：D极要有供电，G极要有控制电压；

    2）主板上的场管N沟道多，G极电压越高，S极输出电压越高；

    3）主板上的场管G极电压达到12V时，DS完全导通，个别主板上5V导通；

    4）场管的D、S功能可互换。

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