AOS
AOI516
绝缘栅(MOSFET)
其他
增强型
UNI/一般用途
是
企业名:深圳市创芯联盈电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
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手机:15915459078
联系人:joanna蔡小姐
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地址:广东深圳深圳市福田区深南中路2070号电子大厦5楼整层
此账号为年会员期,公司诚信经营,请您放心购买。深圳市创芯联盈电子有限公司属于创芯联盈(香港)有限公司,总部于2004年3月在香港创立,历经11周年,目前香港有40多人,深圳有30多人,是一家快速发展的全球化电子公司,可为客户配套一站式采购。 目前深圳子公司总办公面积270多平米,下设总经理,2个业务组,一个VIP客户部,一个产品部,一个行政部,一个财务部,一个质检部。 公司凭借10多年的营销经验及良好的业内信誉与国内100多家实力雄厚的现货库存公司签订了长期的计划销售协议,建立起多渠道的供应合作关系,主要经销的品牌有: TI(可以查询现货库存1万7000多个种类),ADI(可以查询现货库存1万8000多个种类),AVAGO(可以查询现货库存5000多个种类),MAXIM/DALLAS(可以查询现货库存1万5000多个种类),FSC/IR/VISHAY(可以查询现货24000多个种类)、MICROCHIP(可以查询现货库存5000多个种类),NXP/ON(可以查询现货库存15000多个种类),INFINEON(可以查询现货库存1900多个种类),DIODES(可以查询现货库存3500多个种类),FREESCALE(可以查询现货库存3000多个种类)等
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场效应管工作原理,是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,更使电流不能流通。
采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。场效应管(fet)是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点,在大规模和超大规模集成电路中被应用。
场效应管应用领域:
1:工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源
2:新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机
3:交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车
4:绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器
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