AO4613场效应管规格：

    FET 类型：N 和 P 沟道

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源电压（Vdss）：30V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：24 毫欧 @ 7.2A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：15nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：630pF @ 15V

    功率 - 值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    结型场效应管的管脚识别：

    场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

    

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