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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4612 AOS 美国万代 电子元器件IC

场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4612 AOS 美国万代 电子元器件IC
场效应管  N沟道/P沟道MOS管 AO4612 AOS 美国万代 电子元器件IC
  • 品牌:

    AOS

  • 型号:

    AO4612

  • 封装:

    SOP-8

  • 批号:

    17+18+

  • FET类型:

    参照PDF

  • 漏源电压(Vdss):

    参照PDF

  • 漏极电流(Id):

    参照PDF

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    参照PDF

  • 栅源电压(Vgs):

    参照PDF

  • 栅极电荷(Qg):

    参照PDF

  • 反向恢复时间:

    标准

  • 耗散功率:

    标准

VIP会员 第 11
  • 企业名:深圳市创芯联盈电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 18811873148

    手机:18811873148

    联系人:Joey蔡小姐

    QQ: QQ:2881793581

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    地址:广东深圳深圳市福田区深南中路2070号电子大厦5楼整层

商品信息

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4612 AOS 美国万代 电子元器件IC
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4612 AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO4612
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
是否跨境出口货源:是















 



                                                                                                                                              



绝缘栅场效应管1、绝缘栅场效应管(MOS管)的分类:绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种。2、它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管,简称MOS场效应管。3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管为例)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。场效应管的工作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。




联系方式

企业名:深圳市创芯联盈电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 18811873148

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