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FQA11N90C、11N90、MOS管、*童、场效应管

FQA11N90C、11N90、MOS管、*童、场效应管
FQA11N90C、11N90、MOS管、*童、场效应管
  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQA11N90C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    10(V)

  • 夹断电压:

    900(V)

  • *间电容:

    23(pF)

  • 低频噪声系数:

    2(dB)

  • 漏*电流:

    11000(mA)

普通会员
  • 企业名:陈培忠

    类型:经销商

    电话: 0755-84746465

    联系人:陈培忠

    地址:广东深圳福田区现代国际大厦

商品信息 更新时间:2014-05-06

FQA11N90C_F109
900V N-Channel MOSFET
Features
• 11A, 900V, RDS(on) = 1.1Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( t*ical 60 nC)
• Low Crss ( t*ical 23pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
• RoHS compliant
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar
stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide *ior switching
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche
and commutation mode. These devices are well suited for high
efficient switched mode power supplies, active power factor
correction, electronic lamp ballast based on half bridge
*ology.

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联系方式

企业名:陈培忠

类型:经销商

电话: 0755-84746465

联系人:陈培忠

地址:广东深圳福田区现代国际大厦

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