FQP6N80C、6N80、*童原装MOS管、场效应管

品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
型号/规格：
FQP6N80C
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
材料：
N-FET硅N沟道
开启电压：
10（V）
夹断电压：
800（V）
*间电容：
8（pF）
低频噪声系数：
2（dB）
漏*电流：
6000（mA）

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商品信息

FQP6N80C/FQPF6N80C
800V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide *ior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switch mode power supplies.
Features
• 5.5A, 800V, RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( t*ical 21 nC)
• Low Crss ( t*ical 8 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability