STGF15H60DF原装ST晶体管

特征
•高速开关
•参数分布严密
•安全并联
低热阻
•短路额定
•超快软恢复反并联二极管
应用
•电机控制
UPS，PFC
描述
该器件是一个IGBT开发使用
先进的专有沟槽门和现场停止
结构。该IGBT系列提供
传导与交换之间的妥协
损失化效率极高
频率转换器。此外，积极
VCE（SAT）的温度系数和很紧
参数分配结果更容易并行
操作
规格
产品种类: IGBT 晶体管
制造商: STMicroelectronics
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
栅极/发射极电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 30 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
Pd-功率耗散: 30 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3 FP
工作温度: + 175 C
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流 Ic: 15 A
工作温度: - 55 C
系列: 600-650V IGBTs
工厂包装数量: 1000
技术: Si

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