供应STMOSFET管STS6NF20V

规格
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 10 ns
高度: 1.65 mm
长度: 5 mm
Pd-功率耗散: 2.5 W
上升时间: 33 ns
系列: N-channel STripFET
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
宽度: 4 mm
超低阈值栅极驱动器（2.5伏）
■易于自动化表面标准概述
安装组件
应用
■开关中的应用
描述
这种功率MOSFET已开发使用
意法半导体的独特的STripFET进程，
这是专门设计，以尽量减少输入
电容与门电荷。这使得
适用于初级开关的装置
先进高效隔离DC-DC
电信和计算机应用转换器，
低栅极电荷驱动的应用
要求.

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类型：贸易/代理/分销

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