ST品牌MOSFET管STW20N95K5规格

规格
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 950 V
Id-连续漏极电流: 17.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 330 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 40 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
Pd-功率耗散: 250 W
系列: MDmesh K5
工厂包装数量: 600
晶体管类型: 1 N-Channel
业界的RDS（ON）X区
业界的FOM（优）
超低栅极电荷
100%雪崩测试
齐纳保护
应用
开关应用
描述
这些非常高电压N沟道功率
™K5 MDmesh MOSFET采用设计
基于创新专有技术
垂直结构。结果是戏剧性的
减阻与超低通
申请需要上级权力的费用
密度和高效率。

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