STD5NK50ZT4,STM晶体管 - FET，MOSFET规格

制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STD5NK50ZT4
描述 MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH™
包装 带卷（TR） 
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4.4A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 535pF @ 25V
Vgs（值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（值） 70W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
一般特征
■典型RDS（上）= 1.22Ω
■极其高的dv / dt的能力
■改进的ESD能力
■100%额定雪崩
■栅极电荷化
■非常低的本征电容
■很好的制造
重复性
描述
这个超级网孔™系列获得通过
ST优化的极端优化
带钢的PowerMESH™布局。除了
大力推进阻力，特别
注意确保一个非常好的DV / dt能力。
为要求苛刻的应用程序。这一系列的
补充ST全系列高电压MOSFET
包括革命MDmesh™产品。
应用
■大电流，高速开关
■理想离线电源，
适配器和PFC
■照明

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