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现货供应 FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET

现货供应 FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET
现货供应 FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET
  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQD18N20V2

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    1(V)

  • 夹断电压:

    1(V)

  • 跨导:

    1(μS)

  • *间电容:

    1(pF)

普通会员
  • 企业名:蔡明柱

    类型:经销商

    电话: 0755-83989814

    联系人:蔡明柱

    地址:广东深圳福田区深南中路南光捷佳1031

产品分类
商品信息

FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET

完整型号:
FQA18N50V2
FQP18N50V2
FQPF18N50V2
FQD18N20V2TM
FQPF18N20V2
FQP18N20V2
FQU18N20V2
FQD18N20V2
品牌: FAIRCHILD
封装: SOT-252,TO-251,TO-220
年份: 09
数量: 300000
*小包装:编带盘装 2500/盘
产品描述:
FQD18N20V2 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的,
平面条纹,DMOS工艺技术。这种*的技术,*是针对已
尽量减少对通态电阻,提供*的开关性能,经受住了*量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于如汽车,高低压应用
效率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。
特点
1.15A,200V,RDS(on)=0.14Ω@ VGS电压= 10V
2.低栅*电荷(典型值20nC)
3.低Crss(25 pF的典型)
4,快速切换
5.100%雪崩测试
6.改进的dv/dt的能力

FQD13N10 100V的N沟道MOSFET

完整型号:
FQD13N10
FQD13N10TM
FQU13N10
品牌: FAIRCHILD
封装: SOT-252,TO-251
年份: 09
数量: 300000
*小包装:编带盘装 2500/盘
产品描述:
FQD13N10 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的,
平面条纹,DMOS工艺技术。这种*的技术,*是针对已
尽量减少对通态电阻,提供*的开关性能,经受住了*量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于诸如音频放大器的低电压应用中,
*率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。
特点
1.10A,100V,RDS(上)=0.18Ω@ VGS电压= 10V
2.低栅*电荷(典型值12nC)
3.低Crss(20 pF的典型)
4.快速切换
5.100%雪崩测试
6.改进的dv/dt的能力

FQD60N03LTM
FQD13N06LTM
FQD1N80TM
FQD13N06L
FQD20N06
FQD2N60*M
FQD10N20LTM
FQD12P10
FQD1N80TM
FQD5N50*M
FQD630TM
FQD7N10TM
FQD5N40
FQD7N10TF
FQD9N25
FQD10N20TM
FQD3N60*M
FQD*50TM
FQD6N25TM
FQD7N10
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FQD4N25
FQD6N60C
FQD6P25TF
FQD4N50TM
FQD1N60TM
FQD20N06LTM
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FQD14N15
FQD19N10TF
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FQD30N06LTM
FQD3N50C
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FQD5N50F
FQD5P20
FQD6N25TF
FQD7P20TF
FQD9N08
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FQD1N60TM
FQD20N06LTM
FQD4N25
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FQD10N10
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FQD1N30TM
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