长期供应 NGD8201NT4G

品牌/商标：
0N/安森美
型号/规格：
NGD8201NT4G
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
L/功率放大
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
IGBT*缘栅比*
开启电压：
1（V）
夹断电压：
1（V）
跨导：
1（μS）
*间电容：
1（pF）

发布询价信息

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企业名：蔡明柱

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商品信息

NGD8201NT4G IGBT,20A,400V,N沟道-安森美半导体

完整型号:
NGD8201NT4
NGD8201NT4G
厂商:ON/安森美
封装:SOT-252
年份: 10
数量: 50000
*小包装:编带盘装,2500PCS/盘
产品特点:
1.适用于线圈上随插即用驱动器盘管的应用
2.采用DPAK封装提供更小的电路板空间增加足迹
3.门发射**D保护
4.温度补偿门集电*电压钳位限制
应力负荷的应用
1.集成的*D二*管保护
2.用于连接到逻辑电源负载或低阈值电压
微处理器设备
1.低饱和电压
2.高脉冲电流能力
3.可选的栅*电阻（RG）和栅*发射*电阻
4.无铅包可用
应用
1.点火系统