STB11NK40ZT4 功率MOSFET,400V,N沟道,0.49Ω,9A

型号：
STB11NK40
STB11NK40Z
STB11NK40ZT4
STP11NK40Z
STP11NK40ZFP
厂商：ST/意法半导体
封装:SOT-263,TO-220,TO-220F
批号：10
供应数量:50000PCS
*小包装:1000/盘,管装
产品特点:
T*e         VDSS  RDS(on) ID   Pw
STB11NK40Z   400V  <0.55Ω 10A  110W
STP11NK40Z   400V  <0.55Ω 10A  110W
STP11NK40ZFP 400V  <0.55Ω 10A  30W
1.*高的dv/dt的能力
2.100％雪崩测试
3.天关电荷减少
4.*低的固有电容
5.制造业重复性*好
Description
The SuperM*H? series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established
strip-based PowerM*H? layout. In addition to
pushing on-resistance significantly down, special
care is taken to ensure a very good dv/dt
capability for the most demanding applications.
Applications
1.Switching application

STB11*40T4 N沟道400V,0.48ohm,10.7A,PowerM*H MOSFET,意法半导体

型号：
STB11*40
STB11*40T4
STB11*40-1
厂商：ST/意法半导体
封装:SOT-263,TO-262
批号：10
供应数量:50000PCS
*小包装:1000/盘,管装
产品特点:
T*e         VDSS   RDS(on)  ID
STB11*40   400 V  <0.55Ω  10.7 A   D2PAK
STB11*40-1 400 V  <0.55Ω  10.7 A   I2PAK
1.典型的RDS（on）=0.48Ω
2.*高的dv/dt的能力
3.100％雪崩测试
4.*低的固有电容
5.尽量减少栅*电荷
应用
1.大电流，高开关速度
2.开关模式电源（SMPS）
3.直流,交流电转换器焊接设备和不间断电源和电机驱动