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FKBB02P15 东沅P沟道MOSFET 高耐压150V

供应FKBB02P15 东沅P沟道MOSFET 高耐压150V
供应FKBB02P15 东沅P沟道MOSFET 高耐压150V
  • 型号/规格:

    FKBB02P15

  • 品牌/商标:

    Fet/东沅

  • 封装形式:

    PRPAK3X3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • QQ:

    1186670662

  • 资质:

    代理

  • 货源:

    原厂

  • 可售卖地:

    全国

VIP会员 第 13
  • 企业名:深圳市科瑞芯电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-21001680
    0755-82170220

    手机:
    13925219291

    联系人:林小姐/颜先生

    QQ: QQ:2233965261QQ:44849710

    微信:

    邮箱:koreic@126.com

    地址:广东深圳深圳市宝安区民治梅龙路南源商业大厦1105室(可送货 )

商品信息

Fet/东沅 FKBB02P15 PRPAK3x3 P沟道150V快速开关MOSFET


FKBB02P15额定参数

● 漏极-源极电压:-150V
● 栅源电压:±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃:-2A
ID@TC=100℃:-1.5A
● 脉冲漏极电流:-8A
● 单脉冲雪崩能量:12.5mJ
● 雪崩电流:5A
● 总功耗:7.8W
● 储存温度范围:-55-150℃
● 工作接点温度范围:-55至150℃


电气特性(TJ=25℃,除非另有说明)
● 漏极-源极击穿电压:-150V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=-10V,ID=-1A: 650~780mΩ
VGS=-6V,ID=-0.5A: 700~980mΩ
● 栅极阈值电压:-2~-4V
● 漏源漏电流
VDS=-120V,VGS=0V,TJ=25℃:1uA
VDS=-120V,VGS=0V,TJ=55℃:30uA
● 栅源漏电流:±100nA
● 栅极电阻:5Ω12Ω20Ω
● 栅极总电荷:6.5nC 10.8nC 15.2nC
● 栅极-源极电荷:1.6nC 3.1nC 4.7nC
● 栅极-漏极电荷:1.1nC 2.2nC 3.3nC
● 开机延迟时间:21~32ns
● 上升时间:16~24s
● 关机延迟时间:40~60ns
● 秋季时间:18~27ns
● 输入电容:424pF 706pF 988pF
● 输出电容:12pF 23pF 35pF
● 反向转移电容:7pF 13pF 20pF


FKBB02P15产品规格书(部分)

联系方式

企业名:深圳市科瑞芯电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-21001680
0755-82170220

手机:
13925219291

联系人:林小姐/颜先生

QQ: QQ:2233965261QQ:44849710

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邮箱:koreic@126.com

地址:广东深圳深圳市宝安区民治梅龙路南源商业大厦1105室(可送货 )

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