AO4800B场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这两个MOSFET构成了一个紧凑而高效的开关和同步整流器组合，用于降压转换器。

    AO4800B场效应管规格：

    制造商零件编号：AO4800B

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

    系列：-

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6.9A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：27 毫欧 @ 6.9A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：1.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：630pF @ 15V

    功率 - 值：2W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    

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