AO4614场效应管参数：

    FET 类型：N 和 P 沟道

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源电压（Vdss）：40V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A，5A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：31 毫欧 @ 6A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：8.3nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：404pF @ 20V

    功率 - 值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管判定栅极：

    用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

    制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。

    注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。

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