AO4616场效应管参数：

    FET 类型：N 和 P 沟道

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A，7A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：20 毫欧 @ 8A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：18nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：888pF @ 15V

    功率 - 值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    MOS场效应晶体管使用注意事项：

    MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：

    （1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装

    （2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。

    （3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。

    （4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。

    （5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。

    （6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。

    （7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。

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