AOD4189场效应管参数：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：40V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：40A（Tc）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：22 毫欧 @ 12A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：41nC @ 10V

    Vgs（值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：1870pF @ 20V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：2.5W（Ta），62.5W（Tc）

    工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

    封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

    理解MOSFET的几个常用参数：

    VDS，即漏源电压，这是MOSFET的一个极限参数，表示MOSFET漏极与源极之间能够承受的电压值。需要注意的是，这个参数是跟结温相关的，通常结温越高，该值。

    RDS(on)，漏源导通电阻，它表示MOSFET在某一条件下导通时，漏源极之间的导通电阻。这个参数与MOSFET结温，驱动电压Vgs相关。在一定范围内，结温越高，Rds越大;驱动电压越高，Rds越小。

    Qg，栅极电荷，是在驱动信号作用下，栅极电压从0V上升至终止电压(如15V)所需的充电电荷。也就是MOSFET从截止状态到完全导通状态，驱动电路所需提供的电荷，是一个用于评估MOSFET的驱动电路驱动能力的主要参数。

    Id，漏极电流，漏极电流通常有几种不同的描述方式。根据工作电流的形式有，连续漏级电流及一定脉宽的脉冲漏极电流(Pulsed drain current)。这个参数同样是MOSFET的一个极限参数，但此电流值并不代表在运行过程中漏极电流能够达到这个值。它表示当壳温在某一值时，如果MOSFET工作电流为上述漏极电流，则结温会达到值。所以这个参数还跟器件封装，环境温度有关。

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