AO4485场效应管参数：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：40V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：15 毫欧 @ 10A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：55nC @ 10V

    Vgs（值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：3000pF @ 20V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：1.7W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管使用优势：

    场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。

    在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。

    有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。

    场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

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