MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

    ON场效应管代理规格：

    型号：FW297-TL-2W

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动

    漏源电压（Vdss）：60V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.5A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：58 毫欧 @ 4.5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.6V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：14nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：750pF @ 20V

    功率 - 值：1.8W

    工作温度：150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    

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