APT40GP90B介绍：

描述 IGBT 900V 100A 543W TO247

详细描述 IGBT PT 900V 100A 543W Through Hole TO-247 [B]

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 Microsemi Corporation

系列 POWER MOS 7®

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 PT

电压 - 集射极击穿（最大值） 900V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 160A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 3.9V @ 15V，40A

功率 - 最大值 543W

开关能量 825μJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 145nC

25°C 时 Td（开/关）值 16ns/75ns

测试条件 600V，40A，5 欧姆，15V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247 [B]

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

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晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

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