手机端

手机版

Android APP

微信公众号

维库官方抖音

微信头条号
|
你好，欢迎来到维库电子市场网

登录 | 免费注册

发布采购信息修改/删除采购【看报价】

您现在的位置：维库电子市场网 > 元器件 > 场效应管MOSFET > MOSFET

商铺首页公司简介 IC产品供应产品诚信档案客户留言

MOSFET管场效应管可控硅三极管选型+订制

供应MOSFET管场效应管可控硅三极管选型+订制

供应MOSFET管场效应管可控硅三极管选型+订制

型号/规格：
MOS管
品牌/商标：
NXP（恩智浦）
封装形式：
DFN
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装
功率特征：
小功率

发布询价信息

相关产品

VIP会员第 17 年

企业名：日新微电子（深圳）有限公司

类型：原厂制造商

电话： 0755-83525113

手机：15986655004

联系人：郭泽斌

QQ：

微信：

邮箱：rxdzic@163.com

地址：广东深圳深圳市福田区华强广场B座15楼H

产品分类

新品上架

商品信息

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

1.开启电压VT

·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；

·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS

·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm

·在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力

·是表征MOS管放大能力的一个重要参数

·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7. 极间电容

·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

·CGS和CGD约为1～3pF

·CDS约在0.1～1pF之间

8. 低频噪声系数NF

·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的

·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）

·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

联系方式

企业名：日新微电子（深圳）有限公司

类型：原厂制造商

电话： 0755-83525113

手机：15986655004

联系人：郭泽斌

QQ：

微信：

邮箱：rxdzic@163.com

地址：广东深圳深圳市福田区华强广场B座15楼H

相关产品

提示：您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责，请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购！

电子元器件产品索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9