N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRF7854TRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
S/开关
N沟道
增强型
2.5W
10A
80V
企业名:深圳四海联创电子科技有限公司
类型:经销商
电话:
手机:13510200925
联系人:柯创林
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北中航路高科德电子商场61823室
∟ 稳压二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 肖特基二极管(1)
参数
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 80V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 10A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 13.4 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)4.9V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1620pF @ 25V
功率 - *大值 2.5W
应用
初级侧开关在两个桥或
使用48V开关正激拓扑
(&plu*n;10%)或36V至60VETSI范围的输入。
次级侧同步
整流开关12VOUT
适合为48V的非隔离
同步降压型DC-DC应用
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司