N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRF7301TRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
S/开关
N沟道
增强型
2W
20V
5.2A
企业名:深圳四海联创电子科技有限公司
类型:经销商
电话:
手机:13510200925
联系人:柯创林
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强北中航路高科德电子商场61823室
∟ 稳压二极管(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(1)∟ 肖特基二极管(1)
描述
第五代HEXFETs国际整流器利用*的加工
技术,以实现尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
的好处,结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计,
HEXFET功率MOSFET是众所周知的,为设计者提供了一个
在各种各样的应用中使用的**的设备。
SO-8已被修改通过定制引线框架增强
热特性和多模能力,使其成为理想中各种
功耗的应用。有了这些改进,多个设备可以用在
一个应用程序,大大降低了电路板空间。包设计
为气相,*,或波峰焊技术。功耗的
大于0.8W有可能在一个典型的PCB装载应用程序。
封装图片展示
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