是
TOSHIBA/东芝
2SK2611
放大
硅(Si)
NPN型
900（V）
9（A）
8（W）
8（MHz）
点接触型
直插型
企业名：林锦基
类型：经销商
电话：
联系人：林锦基
地址：广东深圳中国 广东 深圳市福田区 华强电子世界三店佳和大厦1A061
2SK2611原装现货。
日本TOSHIBA MOS 2SK2611 K2611 9A/900V N沟道，2SK2611 K2611功率MOSFET主要用于DC- DC转换器，继电器驱动器和电机驱动器。
2SK2611 K2611 TOSHIBA MOS特点：
*性: N沟
漏源电压VDSS:900 V
漏电流ID：9 A
漏功耗PD：150 W
门电荷总数Qg(nC) (标准)：58
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V：1.4 Ω
低漏源电阻：RDS (ON)= 1.2 Ω (t*.)
高正向传输导纳：|Yfs| = 7.0 S (t*.)
低漏电流：IDSS= 100 μA (max) (VDS= 720 V)
增强模式：Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)
封装：TO-*(N)
2SK2611 K2611 TOSHIBA MOS*对*大额定值：（Ta= 25℃）
Characteristics | Symbol | Rating | Unit | |
Drain−source voltage | VDSS | 900 | V | |
Drain−gate voltage (RGS= 20 kΩ) | VDGR | 900 | V | |
Gate−source voltage | VGSS | &plu*n;30 | V | |
Drain current | DC (Note 1) | ID | 9 | A |
Pulse (Note 1) | IDP | 27 | A | |
Drain power dissipation (Tc = 25°C) | PD | 150 | W | |
Single pulse avalanche energy (Note 2) | EAS | 663 | mJ | |
Avalanche current | IAR | 9 | A | |
Repetitive avalanche energy (Note 3) | EAR | 15 | mJ | |
Channel temperature | Tch | 150 | °C | |
Storage temperature range | Tstg | −55 to 150 | °C | |
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