FQPF8N60N60(CS2N60F)                    N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管     
用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。  
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters 
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge ,low crss, fast switching.
 
*限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)   
 
电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数*号
Symbol
测试条件
Test Conditions
*小值
Min
典型值
T*
*大值
Max
单位
Unit
BVDSS VGS=0V      ID=250μA  600      V
VDS=600V    VGS=0V      1.0  μA
IDSS
VDS=480V    TC=125℃      100  μA
IGSS VGS=&plu*n;30V   VDS=0V      &plu*n;0.1  μA
VGS(th) VDS=VGS      ID=250μA  2.0    4.0  V
RDS(on) VGS=10V     ID=1.0A    4.0  5.0  Ω
gFS  VDS=40V     ID=1.0A    2.05    S
VSD VGS=0V      IS=2.0A      1.4  V
Ciss    320  420  pF
Coss    35  46  pF
Crss
VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz
  4.5  6.0  pF
td(on)    8.0  30  ns
tr    23  60  ns 
td(off)    25  60  ns
tf
VDD=300V ID=2.0A RG=25Ω
  28  70  ns
参数*号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
VDSS  600  V
ID(Tc=25℃)  2.0  A
ID(Tc=100℃)  1.3  A
IDM  6.0  A
VGSS  &plu*n;30  V
EAS  120  mJ
EAR  5.4  mJ
IAR  2.0    A
PD(Tc=25℃)  23  W
TJ,TSTG  -55 to 150 ℃