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MOS管STP65NF06 TO-220 N沟道场效应管

MOS管STP65NF06 TO-220 N沟道场效应管
MOS管STP65NF06 TO-220 N沟道场效应管
  • 品牌:

    ST/意法

  • 型号:

    STP65NF06

  • 封装:

    TO-220

  • 批号:

    新年份

  • FET类型:

    N沟道

  • 漏源电压(Vdss):

    60V

  • 漏极电流(Id):

    60A(Tc)

  • 漏源导通电阻(RDS On):

    10V

  • 栅源电压(Vgs):

    ±20V

  • 栅极电荷(Qg):

    75nC @ 10V

  • 反向恢复时间:

    25

  • 耗散功率:

    110W(Tc)

VIP会员 第 7
  • 企业名:深圳市波光电子有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 15817467967
    13302940566

    手机:15817467967
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    联系人:马先生/马先生

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    地址:广东深圳深圳市福田区华强北路宝华大厦1701

商品信息

STP65NF06 TO-220 N沟道场效应管 参数:

STP65NF06 TO-220 N沟道场效应管 参数:

STMicroelectronics

MOSFET

 详细信息

 

Si

Through Hole

TO-220-3

1 Channel

N-Channel

60 V

60 A

14 mOhms

10 V

2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Single

Enhancement

STripFET

9.15 mm

 

10.4 mm

 

STP65NF06

 

1 N-Channel Power MOSFET

 

4.6 mm

 

STMicroelectronics

 

50 S

 

16 ns

 

MOSFET

 

60 ns

 

1000

 

MOSFETs

 

40 ns

 

15 ns

 

330 mg

 































联系方式

企业名:深圳市波光电子有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 15817467967
13302940566

手机:15817467967
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