FAIRCHILD/*童
SGH15N60RUFD
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
高频(快速)
四*
陶瓷封装
类型:
电话:
联系人:马加鹏
地址:广东深圳中国 广东 深圳市福田区 新亚洲二期N1A048
∟ 快/超快/特快恢复二极管(39)∟ 肖特基二极管(14)∟ 其他二极管(1)
数据列表 | SGH15N60RUFD |
产品相片 | TO-*-3,TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT -单路 |
系列 | - |
IGBT类型 | - |
电压-集射*击穿(*大值) | 600V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,15A |
电流-集电*(Ic)(*大值) | 24A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 45A |
功率-*大值 | 160W |
Switching Energy | 676µJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 42nC |
Td (on/off) A 25°C | 17ns/44ns |
Test Condition | 300V, 15A, 13欧姆, 15V |
反向恢复时间(trr) | - |
包装 | 管件 |
封装/外壳 | TO-*-3,SC-65-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-* |
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司