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西门康功率模块SKiiP20NAB12T49

供应西门康功率模块SKiiP20NAB12T49
供应西门康功率模块SKiiP20NAB12T49
金牌会员 第 11
  • 企业名:北京京诚宏泰科技有限公司

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商品信息


德国赛米控/西门康igbt模块SKiiP20NAB12T49变频IGBT功率模块SKiiP20NAB12T49

北京京诚宏泰科技有限公司原装现货供应SKiiP20NAB12T49

西门康Mini SKiiP系列igbt功率模块SKiiP20NAB12T49

SKiiP20NAB12T49品牌
赛米控SEMIKRON
SKiiP20NAB12T49产地
德国
SKiiP20NAB12T49技术参数
VCES=1200V; IC=20A
SKiiP20NAB12T49产品属性

西门康SKiiP系列智能igbt模块

SKiiP20NAB12T49是一款集成IGBT功率模块内置三相全桥逆变电路+三相整流电路+刹车电路


3-phase bridge rectifier + braking chopper + 3-phase bridge inverter

MiniSKiiP IPM是应用在中功率方面的智能功率模块。每个IPM包含一个封闭的升级版的开关概念的没有HVIC SOI的门极驱动。

门极驱动有3.3 V / 5 V / 15 V的信号输入接口,并且含有根据外部转轨电阻的短路电流保护装置。集成了对所有通道的欠电压封锁,

以及通过设定死区时间的逻辑互锁来作为交叉导通保护。MiniSKiiP IPM适用于工业以及日常消费的应用,

如驱动高达15KW的电机还有过程控制以及太阳能的应用等。应用了第三代以及第四代IGBT技术,

IPM有600V的CIB结构以及1200V的6单元结构。

现代功率半导体模块的连接技术
这些模块用在电压为55V~6500V,电流为1A~2400A的场合。几乎每一个已知的拓扑结构,从半桥模块

三相逆变模块到带集成整流器的CIB(整流-逆变-制动)模块中,都能见到整流器、逆变器和制动斩波器功能。

在大多数情况下,功率半导体和散热器之间的绝缘基板是DCB(直接键合铜)或AMB(活性金属钎焊)陶瓷基板。
 各种模块设计之间的一个根本区别在于底板:一些模块有固体底板,一些则没有。对于无底板模块,

DCB直接装配在散热器上的
底板提高了散热能力和芯片下部的热扩散,从而减少了瞬态热阻。然而,绝缘陶瓷基板和底板之间大面积的焊接却从本质上降低了热循环的能力。这是因为陶瓷基板和底板有着不同的热膨胀系数,从而导致焊接疲劳。复合材料(如:AlSiC或CuMo)可代替陶瓷用作底板。然而由于成本原因,这只用在牵引应用中。

    由于DCB并非牢牢粘在散热器上,所以无底板模块并不存在热循环能力降低的问题。在底板中不产生热扩散现象,但这可由使用较小的芯片和较薄的散热涂层来弥补,因为这些模块中DCB与散热器之间的空气间隙更小,这意味着它们可以提供更好的热连接。

北京京诚宏泰科技有限公司是一家集代理、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。

销售代理国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块;

主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron、

 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、因达NIEC,

美国IR,瑞士ABB,NELL尼尔;yaskawa安川;英国西玛,西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、

PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)日之出(HINODE)

法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器;日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、

尼吉康nichicon;红宝石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、美国BHC电解电容以及美国CDE无感电容;

CONCEPT IGBT驱动模块、光耦、变频器主控板、驱动,操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元   


德国SEMIKRON西门康SKIIP 系列智能IGBT模块(MINISKIIP三相桥+6单元IGBT+温控检测)

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