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日立IGBT模块MBL400E33D

供应日立IGBT模块MBL400E33D
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商品信息

日立IGBT模块MBL400E33D

北京京诚宏泰科技有限公司销售供应日立IGBT模块MBL400E33D

北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块;可控硅模块;整流桥模块;二极管模块;电容;晶闸管;IPM模块;半导体功率模块;PLC模块,风机,传感器,驱动板,主控板,电源板,变频器配件

什么是IGBT

IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称,是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中的高效快速开关。

IGBT主要用于放大器,用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。

你可以看到输入侧代表具有栅极端子的MOS管,输出侧代表具有集电极和发射极的BJT。

集电极和发射极是导通端子,栅极是控制开关操作的控制端子。


IGBT逆变模块IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制动模块IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斩波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

ACM(IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi  MBL400E33D3EGM065727R0001

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MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C 
MBN1500E33C
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MBN1000GR12A
MBN1200E17D
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MBN1200E33E
MBN1500E33E

IGBT模块

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成。IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动、UPS不间断电源等设备上。

MBN1800D17C
MBN800E33D
MBN800E33E
MDM1200H45E2-H
MBN1200H45E2-H
MDM800E33D
MBN750H65E2
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IGBT 的工作原理

IGBT 的工作原理是通过激活或停用其栅极端子来开启或关闭。

如果正输入电压通过栅极,发射极保持驱动电路开启。另一方面,如果 IGBT 的栅极端电压为零或略为负,则会关闭电路应用。


由于 IGBT 既可用作 BJT 又可用作 MOS管,因此它实现的放大量是其输出信号和控制输入信号之间的比率。

对于传统的 BJT,增益量与输出电流与输入电流的比率大致相同,我们将其称为 Beta 并表示为 β。

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另一方面,对于 MOS管,没有输入电流,因为栅极端子是主通道承载电流的隔离。我们通过将输出电流变化除以输入电压变化来确定 IGBT 的增益。

IGBT的典型应用
电动机
不间断电源
太阳能面板安装
电焊机
电源转换器与反相器
电感充电器

电磁炉

PM1500HCR330-1
PM1200HAF450
PM1200HCH330-203 
PM1200HCH330-205 
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PM1200HCE330-1 

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