FH1NT
风华高科
LL36 D0-35
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
高频
南京南山半导体是江 苏长电科技原厂直接授权代理商。销售江苏长电全系列贴片三极管、直插三极管;贴片二极管、直插二极管等全系列产品。同时是风华高科贴片 二三极管、贴片电容、贴片...
电话:025-52188228
手机:13951881212
开关管
Vishay/威世通
BA782-V, BA783-V
平面型
硅(Si)
贴片型
塑料封装
小功率
南京江泉电子有限公司 nanjing jiangquanelec co., ltd宗保列 先生 (销售部经理)地址:中国 江苏 南京市白下区 光华东街18号邮编:213000传真:86 试用电子传真移动电话:电话:86 公...
电话:025-52389660
电话:025-84515766
产品类型:开关管是否*:否品牌:MIC型号:MCL4148材料:硅(Si)封装:MacMELF工作温度范围:25(℃) 功耗:0.12针脚数:2 产品名称:微型开关二*管 MCL4148产品特点:*硅晶体化合型半导体,*合欧盟*无铅标准(ROHS指令);**开关响应功能;*整机电路*耗约0.3瓦;*可承受250度高温10秒内安装(引脚0.5公斤拉力测试条件);*...
电话:025-68998008
国产
1N4148W
贴片型
小功率
低频
品牌/商标 国产 型号/规格 1N4148W 产品类型 开关管 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 树脂封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色...
电话:025-84712762
LL4148
开关二*管LL4148
贴片
品牌/商标 LL4148 型号/规格 开关二*管LL4148 产品类型 开关管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片 封装材料 塑料封装 反向电压 1200(V) 南京军*电子销售开关二三*管IN4148 整流管IN4007 联系
电话:25-52180795
日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE:VSH)宣布,推出超小型可润湿侧翼DFN1006-2A塑料封装新型表面贴装小信号二极管---40VBAS40L肖特基二极管和100VBAS16L。这两款二极管节省空间,提高了散热性能,适用于汽车和工业应用,两款二极管均提供AEC-Q101认证...
电路保护领域的全球力特公司的迅速壮大的功率半导体产品组合再添新成员——专为超低正向压降(VF)设计的硅肖特基器件。2016年3月15至17日,在中国电子元器件行业的展览会慕尼黑上海电子展上,这种新型的DST系列肖特基势垒整流器将在展示产品
电路保护领域的全球力特公司在其不断壮大的功率半导体产品中又增加两个系列:MBR系列肖特基势垒整流器(标准肖特基)是基于硅肖特基二极管技术的器件;DUR系列超快整流器可带来超快的开关速度。MBR系列肖特基势垒整流器DUR系列超快整流器这两个
Diodes公司(DiodesIncorporated)新推出的DLLFSD01x开关二极管系列为要求超低漏电流及超速开关的设计人员而设,适用于液晶显示器、便携式电子产品,以及多种电脑和消费性产品。新器件特别适用于高功率效率及低开关损耗的系统。全新
开关二极管特性开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点,广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。二极管开关参数主要参数正向电流:二极管正向导通电流的允许值,在使用时不能超过这一数值。反
● 9至75V和43至160V输入可在工业和铁路市场找到广泛应用 ● 3.3V、5V、12V、15V、24V和48V输出,功率高达40W ● 2 x 1in包封封装可在恶劣条件下可靠运行 Flex电源模块(Flex Power Modules)现面向工业和铁路行业推出PKE-A系列DC-DC电源模块,进而扩大其产品范围,以便满足这些...
二极管!虽然是最基本的一个电子元件,却也是经常被我们无视的一个元件!对于最普通的二极管,大家可能仅仅知道有限的几种用途,整流、防反、降压——你知道二极管的开关作用吗? 基本开关作用 最基本的开关电路所示,在这个电路中,二极管的两端分...
1检测小功率晶体二极管A判别正、负电极(a)观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号,带有三角形箭头的一端为正极,另一端是负极。(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上,通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即
开关二极管: MAXIMUM RATINGS额定值: THERMAL CHARACTERISTICS热特性 OFF CHARACTERISTICS截止电特性 PDF下载:风华FHD99(SOT-23)贴片式开关二极管规格书.rar
摘 要: 分析了延迟击穿二极管(DBD,delayedbreakdowndiode)的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑,通过改变器件结构参数和物理参数(长度、面积、掺杂浓度、激励源等),模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况。结果表明:上升时间对于面...