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TL-12
硅(Si)
是
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否
B*199
开关管
用途*用于高压、*开关应用 ■特征:*低正向压降 *较小的总电容 *用于片式封裝 *较短的反向恢复時间 **图形数 90000 只左右芯片尺寸：280μm×280μm...
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品牌:- 型号:B*199 应用范围:开关 结构:面接触型 材料:- 封装形式:裸片（晶圆） 封装材料:塑料封装用途*用於高壓、*開關應用 ■特征:*低正向壓降 *較小的總電容 *用於片式封裝 *較短的反向恢複時間 **圖形數 90000 只左右芯片尺寸：280μm×280μm 壓焊區尺寸：φ120&...
电话：0415-3178696
品牌:-- 型号:B*199 应用范围:开关 结构:面接触型 材料:-- 封装形式:裸片（晶圆） 封装材料:塑料封装用途*用於高壓、*開關應用 ■特征:*低正向壓降 *較小的總電容 *用於片式封裝 *較短的反向恢複時間 **圖形數 90000 只左右芯片尺寸：280μm×280μm 壓焊區尺寸：φ120&am...
电话：0415-3178696
品牌:- 型号:B*199 应用范围:开关 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:裸片（晶圆） 封装材料:塑料封装 正向工作电流:-（A） 反向电压:-（V）用途*用於高壓、*開關應用 ■特征:*低正向壓降 *較小的總電容 *用於片式封裝 *較短的反向恢複時間 **圖形數 90000 只左右芯片尺寸：280μm×280&m...
电话：0415-3178696
品牌:- 型号:B*199 应用范围:开关 结构:面接触型 材料:- 封装形式:裸片（晶圆） 封装材料:塑料封装用途*用於高壓、*開關應用 ■特征:*低正向壓降 *較小的總電容 *用於片式封裝 *較短的反向恢複時間 **圖形數 90000 只左右芯片尺寸：280μm×280μm 壓焊區尺寸：φ120&...
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日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE：VSH）宣布，推出超小型可润湿侧翼DFN1006-2A塑料封装新型表面贴装小信号二极管---40VBAS40L肖特基二极管和100VBAS16L。这两款二极管节省空间，提高了散热性能，适用于汽车和工业应用，两款二极管均提供AEC-Q101认证...
电路保护领域的全球力特公司的迅速壮大的功率半导体产品组合再添新成员——专为超低正向压降（VF）设计的硅肖特基器件。2016年3月15至17日，在中国电子元器件行业的展览会慕尼黑上海电子展上，这种新型的DST系列肖特基势垒整流器将在展示产品
电路保护领域的全球力特公司在其不断壮大的功率半导体产品中又增加两个系列：MBR系列肖特基势垒整流器(标准肖特基)是基于硅肖特基二极管技术的器件;DUR系列超快整流器可带来超快的开关速度。MBR系列肖特基势垒整流器DUR系列超快整流器这两个
Diodes公司(DiodesIncorporated)新推出的DLLFSD01x开关二极管系列为要求超低漏电流及超速开关的设计人员而设，适用于液晶显示器、便携式电子产品，以及多种电脑和消费性产品。新器件特别适用于高功率效率及低开关损耗的系统。全新
开关二极管特性开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。二极管开关参数主要参数正向电流：二极管正向导通电流的允许值，在使用时不能超过这一数值。反
● 9至75V和43至160V输入可在工业和铁路市场找到广泛应用 ● 3.3V、5V、12V、15V、24V和48V输出，功率高达40W ● 2 x 1in包封封装可在恶劣条件下可靠运行 Flex电源模块（Flex Power Modules）现面向工业和铁路行业推出PKE-A系列DC-DC电源模块，进而扩大其产品范围，以便满足这些...
二极管！虽然是最基本的一个电子元件，却也是经常被我们无视的一个元件！对于最普通的二极管，大家可能仅仅知道有限的几种用途，整流、防反、降压——你知道二极管的开关作用吗？ 基本开关作用 最基本的开关电路所示，在这个电路中，二极管的两端分...
1检测小功率晶体二极管A判别正、负电极（a）观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。（b）观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点（白色或红色）。一般标有色点的一端即
开关二极管： MAXIMUM RATINGS额定值： THERMAL CHARACTERISTICS热特性 OFF CHARACTERISTICS截止电特性 PDF下载：风华FHD99(SOT-23)贴片式开关二极管规格书.rar
摘 要： 分析了延迟击穿二极管（DBD,delayedbreakdowndiode）的物理机理。从该器件在负载上的输出脉冲幅度及上升时间两方面综合考虑，通过改变器件结构参数和物理参数（长度、面积、掺杂浓度、激励源等），模拟研究了不同激励源及不同负载情况下DBD特性的变化情况。结果表明：上升时间对于面...
