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IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容 可控硅-快速系列,交期快,货源稳,品质保证 代理经销以下品牌功率半导体器件 1:日本三社SanRex:可控硅模块;二极管模块;三相整流桥模块。 2:德国...
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产品编号:STPS20M100SG-TR 描述:二极管 肖特基 100 V 20A 表面贴装型 D2PAK 产品属性STPS20M100SG-TR 类型 描述STPS20M100SG-TR 选择 类别 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 .....
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中扬电子成立于2016年,公司总部位于香港,且在深圳,美国,英国,日本,新加坡、以色列、港澳台地区设立专门的销售及采购部门,并与欧美,日韩等国数百家原厂及代理商签订了战略合作...
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深圳宏芯光电子
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型号 LTR-553ALS-WA LTR-308ALS-01 LTR-507ALS-01 LTR-329ALS-01 LTL-4231N LTE-2872U LTR-536AD LTST-C155KGJRKT LTR-559ALS LTV-354T-B2 LTST-C193TBKT-5A LTST-C195KGJSKT LTW-C19...
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型号:LMBR130T1G 品牌:LRC(乐山无线电) 封装:SOD-123 商品目录:肖特基二极管 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf) 570mV@1A LMBR130T1G LMBR130T1G LMBR130...
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商品属性肖特基二极管SR3100参数:型号:SR3100重复峰值反向电压:100VRMS电压:70V平均正向整流电流:3.0A正向峰值浪涌电流@8.3ms正弦半波:80A瞬时正向电压值:0.85V反向电流@25℃...
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WORLD/沃尔德 TSP5L60AF SMAF 势垒肖特基整流器TSP5L60AF Features● Advanced trench technology● Low forward voltage drop● Low power losses● High efficiency operation● Le...
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制造商:IXYS产品种类:肖特基二极管与整流器RoHS: 详细信息 产品:Schottky Diodes安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3If - 正向电流:40 AVrrm - 重复反向电压:60 VVf - 正向电...
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SOD-523-2
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产品描述: 肖特基二极管CMDSH2-4LTR / 原装现货新年份品牌CENTRAL厂家型CMDSH2-4LTR封装形式SOD323商品目录 肖特基二极管配置: Single 技术: Si If - 正向电流: 200 mA Vrrm - 重复...
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ST(意法半导体)
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产品参数 STPSC8065D 产品种类: 肖特基二极管与整流器 RoHS:符合RoHS 产品: Schottky Silicon Carbide Diodes 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AC-2 If - 正向电流: 8 A V...
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Vishay(威世)
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制造商: Vishay 产品种类: 肖特基二极管与整流器 产品: Schottky Rectifiers 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247AC If - 正向电流: 30 A Vrrm - 重复反向电压: 150 V Vf - ...
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INFINEON(英飞凌)
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TVS即瞬态抑制二极管。瞬态抑制二极管(TransientVoltageSuppressor)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方...
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新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 器件采用 MPS 结构设计,额定电流 5 A ~ 40 A 低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN 肖特基(MPS)结构...
半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。 这款新推出...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低,...
“CoolSiC 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术,充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF)...
据该公司介绍,在这个名为TRSxxx65H的系列中,采用了一种新的肖特基金属,并且与第二代相比,改变了结势垒结构以降低电场,从而减少泄漏。 标称最大连续电流在 2A 至 12A 之间的版本可供选择,其中七个采用 TO-220-2L 封装,五个采用表面贴装 DFN8×8 封装...
在射频电路中,射频检波器主要是对射频信号进行检测并以特定方式对其进行测量和转换。按照分类,射频检波器有峰值检波器(peak detectors)、对数放大检波器(log amp detectors)、RMS检波器等;而二极管检波器是一种峰值检波器。今天我们认识零偏置肖特基二...
通常,硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1];此外,它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3],但不能超过物理极限。 本节简要介绍了所用芯片的技术...
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数,SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场,从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外,它具有最低的热阻,允许高通态电流密度。 然而,砷化镓有一些必须考虑的优点: 由于正向压降的显着正...
肖特基二极管以发明人肖特基博士(Schottky)命名。SBD(Schottky Barrier Diode)是肖特基势垒二极管的缩写。不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成,肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。肖特基的两个主要特点,一个是正向导通压降比较低,一般...
肖特基二极管,属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右,反向恢复时间极短,可小至几纳秒;其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备的。肖特基二极管是用钼、金、银等贵金属为阳极,用N型半导体材料为阴极,...