MBR20200CT
苏州固锝GOOD-ARK
ITO-220AB
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
20A
200V
电话:4008586100
QK9008D
QKTK//乾科
直插式
无铅环保型
直插式
单件包装
大功率
低频
<span style="font-family:宋体, SimSun;color:#ff0000;font-size:20px;font-weight...
电话:021-56206215
手机:17301721797
肖特基二*管SS36
SEQ
密封
普通型
贴片式
盒带编带包装
*率
中频
整流桥、肖特基整流桥 主营产品: 贴片整流桥:*6S、*8S、*10S、ABS08、ABS10、LLB10、LLB08、LB08、LB10、LD06、LD10、dB107S、dB157S、dB207S 肖特基整流桥:*14S(1A40V)、*16S(...
电话:021-64761657
手机:13482545525
SS34
PN-S
DO-214AC
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
低频
肖特基(Schottky)二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),它是一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极...
电话:021-68878760
手机:18621210588
XG10100\20100
上海芯硅高科
TO220
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
中功率
高频
上海芯硅高科有限公司成立于2009年,美资背景,2008年国家号召留美华人博士等依托中国发展微电子和新能源产业,TI和IR的两名归国博士响应号召归国创立上海芯硅高科有限公司,其利用自...
电话:021-57761910
手机:18658321836
SEB161M-20
SI*-IC
SOD123
普通型
贴片式
卷带编带包装
大功率
*频
品牌: SI*-IC 型号: SEB161M-20 产品类型: 肖特基管 结构: 点接触型 材料: 硅(Si) 封装形式: SOD-123 封装材料: 塑料封装 功率特性: 大功率 频率特性: *频 发光颜色: 电压...
电话:021-33932402-8030
手机:13564791800
肖特基管
否
ZRE
1N5822
硅(Si)
低功耗、超高速
低功耗、超高速
40v
厂家供应全系列的肖特基二极管1S20-1S601N5817-1N5819SR140 SR160 SR180 SR1100SR220 SR230 SR240 SR250 SR260 SR280 SR21001N5820-1N5822SR340 SR360 SR380 SR3100SR520 SR530 SR540...
电话:8602167691904
否
肖特基管
否
SPS
*R
*R系列/SR系列大电流肖特基二*管,8A-50A,电压可达200V。封装有TO-220AB,TO-220AC,ITO-220AB,ITO-220AC,TO-*,TO-247等"
电话:8602154407312
手机:13795470546
是
肖特基管
否
SEMITECH
SS12
硅(Si)
塑料封装
无色透明封装(T)
SS12 Vrrm=20V IO=1A IFSM=30A IR&lt;0.5MA VF&lt;0.55(IF=1.0A) 上海晨启半导体是*半导体分离器件,*是保护器件的供应商。采用国内研究所多年的技术积累,结合具有...
电话:86 021 64606423
手机:13853391223
SL14
YF
SMA
无铅*型
贴片式
盒带编带包装
小功率
低频
上海佑风电子是由一群对半导体技术及远景有共识的工程师所创建的科技型企业。公司以提供客户*的服务为目标,运用竞争力的价格与*的技术支援,加完善的品质管理制度,帮助客户*节省成...
电话:021-89901026
手机:13606509939
*RP400100*
DF
塑料
无铅*型
贴片式
盒带编带包装
大功率
高频
*RP400100* 产品尺寸:长×宽×高:90.3mm×20.4mm×15.7mm 参数: 1、反向耐压VR>=100V 2、反向漏电流IRRM=1mA 3、正向压降VF<=0.95V 4、快恢...
电话:021-13816842385
手机:13816842385
“CoolSiC 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术,充分发挥在硅上使用 SiC 的全部优势。英飞凌专有创新焊接工艺结合更加紧凑的设计、薄晶圆技术以及全新肖特基金属系统。打造的系列产品具有同类产品中极其优秀的的品质因数 (Qc x VF)...
据该公司介绍,在这个名为TRSxxx65H的系列中,采用了一种新的肖特基金属,并且与第二代相比,改变了结势垒结构以降低电场,从而减少泄漏。 标称最大连续电流在 2A 至 12A 之间的版本可供选择,其中七个采用 TO-220-2L 封装,五个采用表面贴装 DFN8×8 封装...
器件采用MPS结构设计,额定电流4 A~ 40 A,正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出17款新型第三代650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky(MPS...
如今,为了实现可持续发展和繁荣的社会,在能源领域十分要求效率。本公司为实现这一目标正在开发新的产品群,进而推进下一代电力设备的发展。 这次开始提供的样片NJDC010A065AA3PS是使用了碳化硅材料的世界最小尺寸的肖特基二极管,其最大额定值为650V/10A...
宾夕法尼亚、MALVERN—2021年1月28日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出十款新型650V碳化硅(SiC)肖特基二极管。VishaySemiconductors器件采用混合PINSchottky(MPS)结构设计,通过降低开关损耗提升高频应用能效,不受温...
通常,硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损耗 [1];此外,它也可能是软开关电路的限制因素[2]。我们付出了一些努力来优化硅双极二极管的行为 [3],但不能超过物理极限。 本节简要介绍了所用芯片的技术...
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数,SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场,从而使二极管具有非常高的击穿电压和低正向压降。此外,它具有最低的热阻,允许高通态电流密度。 然而,砷化镓有一些必须考虑的优点: 由于正向压降的显着正...
肖特基二极管以发明人肖特基博士(Schottky)命名。SBD(Schottky Barrier Diode)是肖特基势垒二极管的缩写。不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成,肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。肖特基的两个主要特点,一个是正向导通压降比较低,一般...
肖特基二极管,属于大电流、低功耗、低压、超高速半导体功率器件。它的正向导通压降仅为0.4V左右,反向恢复时间极短,可小至几纳秒;其整流电流可高达几百至几千安培。这些优良性能是快恢复及超快恢复二极管所不具备的。肖特基二极管是用钼、金、银等贵金属为阳极,用N型半导体材料为阴极,...
通常,异步开关模式电源 (SMPS) 的主要损耗源是二极管的非理想特性。解决此问题的一种方法是使用同步 SMPS,其中二极管被受控 MOSFET 开关取代。这种方法肯定会提高效率;然而,它是以增加电路和需要精确控制为代价的。 同步与异步升压转换器。图片由 Cadence提供 另一方面,可以通过不断改...