新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管　　器件采用 MPS 结构设计，额定电流 5 A ~ 40 A　　低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低　　Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN 肖特基（MPS）结构...

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，...

无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaNGaN 功率 IC ，将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变...

器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS...

InnoSwitch4-Pro系列反激式开关IC可实现效率超过95%、外形小巧、同时兼容USBPD和通用快充技术规范(UFCS)的适配器设计，并且输出功率高达220W 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司PowerIntegrations（纳斯达克股票代号：POWI）今天宣布推出InnoSwitch4-Pro系列可数字控制的离线...

以下是一个基于多路单端反激式开关电源的详细设计方案，涵盖关键设计步骤、参数计算和注意事项：　　1. 设计需求分析　　输入电压范围：AC 85-265V（通用输入）或DC 24V（工业应用）　　输出规格：　　主路：+12V/2A（24W）　　副路1：+5V/1A（5W）　　副路2...

R509 驱动电阻：精准控制开关速度在芯片驱动场效应管 Q505 时，R509 这个几十 Ω 的驱动电阻起着关键作用。它能够减缓开关速度，避免场效应管在快速开关过程中承受过大的应力。如果驱动电阻太小，场效应管的开关速度会过快，可能导致管子瞬间承受过大的电流和...

在电子设备的应用中，开关电源凭借其工作效率高、体积小的显著优点，相较于传统的线性电源，获得了极为广泛的应用。然而，开关电源内部开关管不停的通断，产生了较大的电压变化率（du/dt），使其成为产生传导发射的一个主要噪声源。并且由于它与电源线直接连...

推挽式（Push-Pull）开关电源的优点推挽式开关电源是一种常见的DC-DC变换器拓扑结构，广泛应用于中高功率电源设计中（如工业电源、通信设备、逆变器等）。其核心工作原理是通过两个交替导通的开关管（如MOSFET）驱动变压器的初级绕组，实现高效能量转换。以下...

在电子设备的电源设计领域，DCDC 开关电源的电磁干扰（EMI）和电压应力问题一直是工程师们关注的焦点。随着场效应晶体管（MOSFET）开关速度的不断提高，同步降压转换器中的高频传导发射和辐射发射问题日益凸显。本文将深入探讨如何通过减小电感寄生参数来降低...