5N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术，这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快的开光技术，极低栅电荷，最小化导通电阻以及极强的雪崩击穿特性，这种器件非常适合于高效开光电源，DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。  


1特性   


 4.5A,  600V    RDS(on)=2.4Ω 


极低栅电荷，典型15nC 


极低反向转换电容；典型6.5pF 


快速开关能力 


增强的dv/di能力 


100％雪崩击穿测试 


封装型式  TO-220F 


最大结温  150℃ 

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