LLCC/无引线陶瓷片载
IPP030N10N3G
HEMT高电子迁移率
FM/调频
INFINEON/英飞凌
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
企业名：深圳市品慧电子有限公司
类型：经销商
电话：
联系人：全汉桃
地址：广东深圳中国 广东 深圳市南山区 天安数码城天祥大厦AB座9B2-36
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管*性: N-Channel
汲*/源*击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏*连续电流: 100 A
漏源导通电阻: 3 mOhms
配置: Single
*大工作温度: 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
下降时间: 28 ns
*小工作温度: - 55 C
功率耗散: 300 W
上升时间: 58 ns
系列: IPP030N10
工厂包装数量: 500
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 84 ns
*件号别名: IPP030N10N3GHKSA1 SP
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
