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SVF4N60F 4N60场效应管 MOS管 TO-220F

供应SVF4N60F 4N60场效应管 MOS管 TO-220F
供应SVF4N60F 4N60场效应管 MOS管 TO-220F
  • 型号/规格:

    SVF4N60F 4N60

  • 品牌/商标:

    士兰微

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

银牌会员 第 17
  • 企业名:深圳市广辉电子有限公司

    类型:

    电话: 13686868407

    手机:13686868407

    联系人:陈树辉

    QQ: QQ:659974144

    微信:

    邮箱:659974144@qq.com

    地址:广东深圳深圳市深南东路金城大厦3-10-A//柜台:深圳市华强北路新华强电子世界Q3B026室

产品分类
商品信息

描述:

  4A、600V N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVF4N60D/F/T/M采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
  该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动。

封装形式:

TO-251-3L;TO-251D-3L;TO-252-2L;TO-220-3L;TO-220F-3L

特点:

∗ 4A,600V,RDS(on)(典型值)=2.0Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力

主要极限参数(除非特殊说明,TC=25°C):

漏源电压VDS:600V

栅源电压VGS:±30V

漏极电流ID(TC=25°C/100°C):4.0A/2.5A

漏极脉冲电流IDM:16A

联系方式

企业名:深圳市广辉电子有限公司

类型:

电话: 13686868407

手机:13686868407

联系人:陈树辉

QQ: QQ:659974144

微信:

邮箱:659974144@qq.com

地址:广东深圳深圳市深南东路金城大厦3-10-A//柜台:深圳市华强北路新华强电子世界Q3B026室

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