是
ISC
2SA981
放大
硅(Si)
PNP型
平面型
直插型
金属封装
企业名：无锡固电半导体股份有限公司
类型：生产制造商
电话： 0510-85346300
手机：15961889150
联系人：潘小姐
QQ： 
微信：
邮箱：mdc@iscsemi.com
地址：江苏无锡无锡新区新梅路68号
∟ 功率三极管(87)∟ 开关三极管(2)∟ 低噪声三极管(74)∟ 复合(达林顿)三极管(6)∟ 其他三极管(3)
·High Power Dissipation-
: PC= 80W(Max.)@TC=25℃
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= -120V(Min.)
·Complement to Type 2SC2261
APPLICATIONS
·Designed for general purpose applications.
SYMBOL | PARAMETER | VALUE | UNIT |
VCBO | Collector-Base Voltage | -120 | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage | -120 | V |
VEBO | Emitter-Base Voltage | -6 | V |
IC | Collector Current-Continuous | -8 | A |
IB | Base Current-Continuous | -3 | A |
PC | Collector Power Dissipation @TC=25℃ | 80 | W |
Tj | Junction Temperature | 150 | ℃ |
Tstg | Storage Temperature | -65~150 | ℃ |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj=25℃unless otherwise specified
SYMBOL | PARAMETER | CONDITIONS | MIN | TYP. | MAX | UNIT |
V(BR)CEO | Collector-Emitter Breakdown Voltage | IC= -50mA ;IB= 0 | -120 |
|
| V |
VCE(sat) | Collector-Emitter Saturation Voltage | IC= -3A; IB= -0.3A |
|
| -1.5 | V |
ICBO | Collector Cutoff Current | VCB= -120V; IE= 0 |
|
| -1.0 | mA |
IEBO | Emitter Cutoff Current | VEB= -6V; IC= 0 |
|
| -1.0 | mA |
hFE | DC Current Gain | IC= -3A; VCE= -4V | 30 |
|
|
|
fT | Current-Gain—Bandwidth Product | IE= 0.5A; VCE= -12V |
| 20 |
| MHz |
Switching times | ||||||
tr | Rise Time | IC= -3A ,RL= 4Ω, VCC=-12V IB1= -0.2A; IB2= 0.1A |
| 0.85 |
| μs |
tstg | Storage Time |
| 2.0 |
| μs | |
tf | Fall Time |
| 0.3 |
| μs | |
企业名：无锡固电半导体股份有限公司
类型：生产制造商
电话： 0510-85346300
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