是
iscsemi
BU926
放大
硅(Si)
NPN型
400(V)
8(A)
120(W)
4(MHz)
平面型
TO-3PN
企业名:无锡固电半导体股份有限公司
类型:生产制造商
电话: 0510-85346300
手机:15961889150
联系人:潘小姐
微信:
邮箱:mdc@iscsemi.com
地址:江苏无锡无锡新区新梅路68号
∟ 功率三极管(87)∟ 开关三极管(2)∟ 低噪声三极管(74)∟ 复合(达林顿)三极管(6)∟ 其他三极管(3)
iscSilicon NPN Power Transistor
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS)= 400V (Min)
·Low Saturation Voltage
: VCE(sat)= 1.5V (Max)@IC= 5A
APPLICATIONS
·Designed for use in high-voltage , high-speed , power
switching in inductive circuit.
SYMBOL | PARAMETER | VALUE | UNIT |
VCBO | Base-Emitter Voltage | 850 | V |
VCEO | Collector-Emitter Voltage | 400 | V |
VEBO | Emitter-Base Voltage | 7 | V |
IC | Collector Current- Continuous | 8 | A |
ICM | Collector Current-Peak | 10 | A |
IB | Base Current- Continuous | 2 | A |
PC | Collector Power Dissipation @ TC=25℃ | 120 | W |
TJ | JunctionTemperature | 150 | ℃ |
Tstg | StorageTemperature Range | -65~150 | ℃ |
企业名:无锡固电半导体股份有限公司
类型:生产制造商
电话: 0510-85346300
手机:15961889150
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邮箱:mdc@iscsemi.com
地址:江苏无锡无锡新区新梅路68号