原装*价格好，质量好IRF840属于Vishay的第三代Power MOSFETs

品牌/商标：
IR VISHAY
型号/规格：
IRF840ASTRLPBF
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
N-FET硅N沟道

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IRF840 概述

　　IRF840属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF840为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻*和*益的强力组合。
　　新系列的低电荷Power MOSFET IRF840LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术，IRF840LC性能得到增强且无需增加额外的成本，简化了栅*驱动需求，从而节省了系统总体开销。此外，在大量的高频应用中，IRF840LC减少了转换损耗，效能得到强化。
　　TO-220封装的IRF840普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF840得到业内的普遍*。SMD-220封装的IRF840适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。IRF840的SMD-220封装可适应*度电流的应用。

IRF840 参数
IRF840 基本参数
V_DS		500 V
I_D@25℃		8.0 A
R_DS(on)		0.85 Ω
IRF840 其他特性
FET*性		N型沟道
Qg (Max.)(nC)		63 nC
IRF840 封装与引脚
TO-220, TO-263, TO-262