*号

Symbol

名    称

Characteristics

额定值

Rating

单位

Vcbo

集电*—基*电压

Colletor-Base Voltage

40

V

Vceo

集电*—发射*电压

Colleltor-Emitter Voltage

30

V

Vebo

发射*—基*电压

Emitter-Base Voltage

6

V

Ic

集电*电流

Colletor Current

3000

mA

Pc

集电*功率耗散

Colletor Dissipation

1250

mW

Tj

结   温

Junction Temperature

150

℃

Tstg

贮存温度

Storage Temperature

-55-150

℃

*号

Symbol

名    称

Characteristsics

测试条件

Test Conditions

*小值

Min

特征值

T*

*大值

Max

单位

Unit

Bvcbo

集电*—基*击穿电压

Collector-Base BreakdownVoltage

Ic=100μA, Ie=0

40

V

BVceo

集电*—发射*击穿电压

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Ic=5mA, Ib=0

30

V

Bvebo

发射*—基*击穿电压

Emitter-Base Breakdown Voltage

Ie=100μA, Ic=0

6

V

Icbo

集电*—基*截止电流

Collector-Base Cutoff Current

Vcb=40v, Ie=0

0.1

μA

Iebo

发射*截止电流

Emitter Cutoff Current

Veb=5v, Ic=0

0.1

μA

HFE

直流电流增益

DC Current Gain

Vce=2v, Ic=1A

60

400

Vces

集电*—发射*饱和压降

Collector-Emitter Sateration Voltage

Ic=2A, Ib=200mA

0.3

0.5

V

Vbes

基*—发射*饱和压降

Base -Emitter Sateration Voltage

Ic=2A, Ib=0.2A

2.0

V

Ft

特征频率

Gurrent Gain-Bandwidth Product

Vce=5v,Ic=5mA

50

300

MHz