桂林斯壯微電子有限責任公司
GuilinStrongMicro-ElectronicsCo.,Ltd.

GMD596
■MAXIMUM
RATINGS
(T
a
=25
℃)
*大額定值
■DEVICE
MARKING
打標
Characteristic
特性參數
Symbol
*號
Rating
額定值
Unit
單位
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓VCBO 30 V
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓VCEO 25 V
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓VEBO 5 V
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續Ic 700 mA
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率PC 225 mW
Junction Temperature
結溫Tj 150 ℃
Storage Temperature Range
儲存溫度Tstg -55?150 ℃
GMD596(2SD596)
MARK DV1 DV2 DV3 DV4 DV5
HFE1 110~180 135~220 170~270 200~320 250~400
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin
Strong
Micro-Electronics
Co.,Ltd.
GMD596
■ELE*RICAL
CHARA*ERISTICS
電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無*說明,溫度爲25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
*號
Test Condition
測試條件
Min
*小值
T*
典型值
Max
*大值
Unit
單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
ICBO
VCB=30V,
IE=0 — — 0.1 μA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
IEBO
VEB=5V,
IC=0 — — 0.1 μA
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
V(BR)CBO IC=100μA 30 — — V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
V(BR)CEO IC=1.0mA 25 — — V
Emitter-Base Breakdown Votlage
發射極-基極擊穿電壓
V(BR)EBO IE=100μA 5 — — V
DC Current Gain
直流電流增益
HFE1
VCE=1V,
IC=100mA00 —
DC Current Gain
直流電流增益
HFE2
VCE=1V,
IC=700mA 50 — — —
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
VCE(sat)
IC=700mA,
IB=70mA — 0.2 0.6 V
Base-Emitter Saturation
基極-發射極電壓
VBE
VCE=6V,
IC=10mA 0.6 0.64 0.7 V
Transition Frequency
特徵頻率
fT
VCE=6V,
IC=10mA — 170 — MHz
Collector Output Capacitance
輸出電容
Cob
VCB=6V,IE=0,
f=1MHz — 12 — pF
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Strong
Micro-Electronics
Co.,Ltd.
GMD596
■DIMENSION
外形封裝尺寸  SOT-23