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2N60/2N60M/SVD2N60/SVD2N60M/场效应管 MOS管 TO-251 士兰微

2N60/2N60M/SVD2N60/SVD2N60M/场效应管 MOS管 TO-251 士兰微

2N60/2N60M/SVD2N60/SVD2N60M/场效应管 MOS管 TO-251 士兰微

品牌/商标：
SILAN/士兰微
型号/规格：
SVD2N60M
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
SW-REG/开关电源
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
N-FET硅N沟道
低频噪声系数：
标准
*间电容：
标准
漏*电流：
标准

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普通会员

企业名：郑俊平

类型：生产企业

电话： 0755-82811768

联系人：郑俊平

QQ：

邮箱：Pacanon@163.com

地址：广东深圳华强北中航路新亚洲电子市场二楼2C013室

产品分类

场效应管MOSFET(2)

新品上架

商品信息

士兰微SILAN SVD1N60 TO-251封装原装一管80只，订货以80*标准。

联系方式

企业名：郑俊平

类型：生产企业

电话： 0755-82811768

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