| 品牌/商标 | 国产，* | 型号/规格 | 多型号/规格 |
| 产品类型 | 功率二*管 | 结构 | 扩散型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 金属封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | *频 | 发光颜色 | 纯绿 |
| LED封装 | 加色散射封装(D) | 出光面特征 | 圆灯 |
| 发光强度角分布 | 高指向性 | 正向直流电流IF | 视型号/规格定（A） |
| *高反向电压 | 视型号/规格定（V） |
型号：3DF50GNPN高频*功率三*管 封装形式：TO-*III 电特性：*限值（除非另有规定Tamb=25℃）参数名称* 号额定值单 位集电*—发射*电压VCE0400-800V集电*—基*电压VCBO900V发射*—基*电压VEBO≥7V集电*电流IC50A耗散功率Pc500W贮存温度Tstg-55 ~ 150℃ 电参数（除非另有规定Tamb=25℃）参数名称*号规范值单位*小典型*大集电*-基*截止电流ICB0——10.0mA发射*-基*截止电流IEB0——10.0mA直流电流增益hFE20—120 集电*-发射*饱和电压VCEsata——3V集电*-发射*击穿电压V(BR)CEO500—800V集电*-基*击穿电压 V(BR)CBO900——V发射*-基*击穿电压V(BR)EBO7.0——V开启时间Ton——1.8us贮存时间ts——5.0us下降时间tf——1usa:脉冲测试
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