| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | 2N60 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | A/N（V） | 夹断电压 | 600（V） |
* RDS(ON) =3.8?@VGS= 10V.
* Ultra Low gate charge (t*ical 9.0nC)
* Low reverse transfer capacitance (Crss = t*i
* Fast switching capability
* Avalanche energy specified
* Improved dv/dt capability, high ruggedness
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