现货贴片MOS管，8205，8205A

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产品分类

电源IC(27)
∟ 稳压IC(22)∟ 充电管理IC(1)∟ 其他电源IC(4)
二极管(670)
∟ 贴片/片式/SMD二极管(5)∟ 整流二极管(6)∟ 稳压二极管(2)∟ 开关二极管(1)∟ 桥堆/整流桥/桥式整流器(1)∟ 快/超快/特快恢复二极管(10)∟ 瞬态(变)抑制二极管(489)∟ 肖特基二极管(124)∟ 其他二极管(7)
三极管(315)
∟ 贴片/片式/SMD三极管(13)∟ 功率三极管(224)∟ 低噪声三极管(1)∟ 复合(达林顿)三极管(25)∟ 高反压三极管(14)∟ 带阻三极管(3)∟ 磁敏三极管(1)∟ 其他三极管(3)
场效应管MOSFET(19)
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可控硅IGBT(74)
∟ 单向可控硅(晶闸管)(70)∟ 双向可控硅(晶闸管)(1)
电容器(27)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(4)∟ 铝电解电容(3)∟ 钽电解电容(2)∟ 瓷片(瓷介)电容(1)∟ 独石(层积)电容(1)∟ 涤纶电容(1)∟ 其他电容(9)
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商品信息

品牌/商标	ME	型号/规格	MOS8205
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	耗尽型	用途	V-FET/V型槽MOS
封装外形	CER-DIP/陶瓷直插	材料	ALGaAS铝镓砷
开启电压	40（V）	夹断电压	1（V）
低频跨导	1（μS）	*间电容	1（pF）
低频噪声系数	1（dB）	大漏电流	1（mA）
*大耗散功率	1（mW）

描述:
ME8205系列共漏*N沟道增强型功率场效应（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。MEM8205适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

特点:
●20V/6A
●RDS(ON) =20mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
●RDS(ON) =21mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
●RDS(ON) =26mΩ@ VGS=2.5V,ID=4A
●*密度单元、*小的RDS(ON)）
●两种封装：TSSOP8、SOT23-6

应用:
●笔记本电池管理
●便携式设备
●电池电源系统
●DC/DC转换
●负载开关
●LCD显示适配器

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