品牌:NEC/日本电气 | 型号:K3057 | 种类:*缘栅(MOSFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:MW/微波 |
封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 开启电压:30(V) |
夹断电压:30(V) | 跨导:45(μS) | *间电容:4(pF) |
低频噪声系数:5(dB) | *大漏*电流:45(mA) | *大耗散功率:45(mW) |
原装供应场效应K3057
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