品牌:IR 型号:IRG*C30FD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:30(V) 夹断电压:24(V) 低频跨导:24(μS) *间电容:560(pF) 低频噪声系数:24(dB) *大漏*电流:500(mA) *大耗散功率:600(mW)
*缘栅双*晶体管IRG*C30FD*缘栅双*晶体管IRG*C30FD*缘栅双*晶体管IRG*C30FD*缘栅双*晶体管IRG*C30FD
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司