场效应IRFR13N20D

品牌：
IR/国际整流器
型号：
IRFR13N20D
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MW/微波
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
GaAS-FET砷化镓
开启电压：
30（V）
夹断电压：
30（V）
跨导：
45（μS）
*间电容：
45（pF）

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商品信息 更新时间：2013-01-14

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